製品・加工

半導体フォトマスクに使用される合成石英基板の研磨です。一度使用された基板のリサイクル研磨（再生研磨）がメインで、供給された使用済み基板を良品に再生してお返しする歩留まりは他社の追従を許しません。弊社独自の欠陥修正技術が差別化に大きく貢献しております。

使用済みの基板は表面にクロム膜が付着しておりますが、環境重視のクロム膜剥離工程により透明な基板にした後研磨工程に投入します。さらに、クロム膜が付着した状態ではその表面に描かれているデバイスパターンは企業秘密であり、その保管は厳格な入室管理による最高のセキュリティの下で行っております。

6インチの基板で研磨面の平坦性は0.3μm以下、パーティクルは0.1μm以上のサイズでゼロ（0）～数個を実現しております。

低損失で電気自動車或いはハイブリッドカーの航続距離の向上に大きく貢献すると期待される、炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）、窒化アルミニウム（AlN）基板の研磨加工を行っております。

エピ成長後裏面に回り込んだエピ除去の為の裏面研磨、表面にデバイス作成後の裏面研磨、リサイクル研磨等様々な研磨サービスを提供しております。また、ご要望によりベベリング、レーザーマーキング等の付帯加工も行っております。

研磨後の洗浄においては重金属フリーの清浄度が求められますが、社内にTXRFを設置して鉄壁の重金属フリーの管理を行っております。

４、５、６インチのシリコンウェハー上にエピタキシャル層を成長させる加工サービスを行っております。バッチ式のエピ装置により効率的な生産を行っており、短納期、リーズナブルな加工費によりお客様の満足を頂いております。工程には拡散炉も設備されており、エピ成長と組み合わせての加工サービスの提供も可能です。

今後、飛躍的に需要が拡大する５G向けSAWフィルター向けのタンタル酸リチウム（LT）ウェハー研磨加工サービスです。SAWフィルターは表面弾性波を使用して信号周波数のフィルタリングを行うデバイスであり、非常に厳しい研磨面の平坦性が要求されます。弊社では厚み公差±0.1μmが可能であり、この高精度はお客さまより高い評価を頂いております。

また、並行してウェハー周辺のテラス加工（ウェハー端面に段差を付ける加工）も行っており、研磨と組み合わせて利便性の高い加工サービスを提供しております。

表面にデバイスが形成されたシリコンウェハーに対して、表面のデバイス面を保護し裏面を研磨する加工です。加工サイズは4～12㌅、仕上げ厚みも50μm程度まで対応可能です。仕上げは基本は固定砥粒による研削仕上げ、必要であればその後に遊離砥粒によるポリッシュ加工を追加することも可能です。

急ぎのものは一泊二日（受け取った翌日出し）また少量でも対応可能です。お客様の要望により柔軟に対応しております。

化合物半導体ウェハーの用途は高周波デバイス、レーザー発振デバイス、LED等多岐にわたる。リン化ガリウム（GaP）、砒化ガリウム（GaAs）、リン化インジウム（InP）等各種の化合物半導体ウェハー研磨加工を行っております。

加工内容も基板研磨、リサイクル研磨、デバイス付きウェハーの裏面研磨等多岐に渡ります。また加工方法も研削、ラップ、ポリッシュ等各種研磨工程を最適に組み合わせてお客様の御要望にフレキシブルに対応しております。化合物半導体ウェハーは形状が平坦でなく大きく反っているウェハーもあり、その反りを独特のノウハウで矯正して研磨を可能とする強みを持っております。

研磨したシリコンあるいは化合物半導体ウェハーの裏面に金属膜を蒸着する加工です。研磨と蒸着を同時に行える加工業者は稀であり、これらをワンストップサービスとして提供できるのが弊社の強みです。対応可能金属膜としては、Au、Pt、Al、Ti等多岐にわたり、オーミック電極を形成できます。